大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于康为水处理器的问题，于是小编就整理了1个相关介绍康为水处理器的解答，让我们一起看看吧。
任正非提到的光芯片是什么技术？请各位专家解释下，谢谢？
“光芯片”不是硅晶圆芯片，与大家经常听说的台积电制造的芯片、麒麟处理器等是完全不同的，下文具体说一说。
根据世界半导体贸易协会的说法，全球半导体细分为四个领域：集成电路、光电子、分立器件、传感器。其中光电在占整个半导体产业的比例在7%~10%之间，华为在英国建立的光芯片工厂主要生产光电子通信芯片。我们关注度比较高的CPU、GPU、手机处理器等都是属于集成电路。
光芯片用于完成光电信号的转换，是核心器件，分为有源光芯片和无源光芯片。光芯片包括了激光器、调制器、耦合器、波分复用器、探测器等。在运营商的核心交换网设备、波分复用设备、以及即将普及的5G设备中有大量的光芯片。
目前，国内企业只掌握了10Gbps速率及其以下的激光器、探测器、调制器芯片能力，高端光芯片领域与欧美国家落后1~2代，生产制造方面，光芯片流片严重依赖美国、新加坡等国。
光芯片可以定义为transceiver中的光学部分，也有人称为光引擎optic engine。之前各个器件是分立的，比如主动元件有laser，modulator，detector，被动元件如AWG, PLC,WSS,switch等。现在，由于带宽的提高，需要封装集成的分立元件增多，使得光学集成成为控制成本的更好的解决方案。目前主要有硅光解决方案和全部IIIV monolithic 的解决方案。硅光在于成本低，但是目前激光器集成和封装方案还在完善，只有intel，Juniper（Aurrion）有商业化的高集成产品。而IIIV,虽然材料生长成本较高，但有成熟的单片集成解决方案，代表企业如Infinera, 相比硅光，技术积累时间更长，是解决长距传输高带宽的理想解决方案。
我国在硅光方面和国际基本在一个水平上，但需要像日本AIST,欧洲IMEC,美国AIM，新加坡IME等有一个比较能同一大家产业化的机构协同作战。目前微电子所的流片开始起步，但离其他几家还要迎头追赶。在IIIV的芯片上，高集成度产业化我国还有差距，目前还没有看到能量产DFB 25G的企业，高度集成更需要工艺，外延生长多年的积累。所以IIIV我国企业还需要继续努力，相信经过努力，高速激光器，可调激光器慢慢会出来，然后争取诞生像infinera一样的企业。
总之，光芯片低端芯片已经基本可以国产化。高端芯片，同志仍需努力，前景还是光明的
加油，支持国产，支持华为！！
这个和光纤一样理论，不过光芯片产生温度太高，晶体电与电对撞撕压产出的光，利用镜片改变方向发生直线，如果在封装高2毫米，宽4X4，内部模块分为，高压脉冲模块，小型硅芯片控制线路模块，光模块，感光模块，后面还有大量的小型硅芯片模块分为:信号传送模块，总线寻址模块，扩展模块:扩展模块主要是串口控制连接用。
所以光芯片不一定快过于传统芯片，但它的传送是完全直线当传播信号还可以，光模块耗电而且频率刷新很高，和我们的开灯关灯一样，要在处于20纳米空间光段要1纳米到18纳米之间，而且它的针孔也要达到0.5纳米，光的圆口直径达到0.1纳米，不能撞到针孔直径0.5纳米，如果撞到就是损失，编程时候得用补吗1来进行弥补，不然传送文件时候为损件，我说的这些工艺已经超过了硅芯片得工艺，非常高级的了，想想里面有10亿个光孔，也要到了10个光模块，10亿个感光器，这又何必呢？如果只单纯通讯，就50个就可以，那么就好比一下子50个代码出现，以光速前进，这可是6G通讯了，5G通讯都不如，然后从芯片转电波到芯片，***设在以1000条通讯线等于50个光口速度同时发出，下载10G电影，一下子1秒钟搞定！
光芯片不适合计算，我宁愿硅芯片64四条核心线同时写1等于光速，我也不要光芯片，太耗电了，发热太高，我宁愿直流电正极穿过晶体的阻值对地回路形成消耗温度，我也不想要光模块线路的高速频率，截止通过这样方式！
芯片速度还是要看材料，那天我们发现了比晶体阻值低敏感高，敏感越高速度越快，温度就越低，电压电流越流畅还差不多！
到此，以上就是小编对于康为水处理器的问题就介绍到这了，希望介绍关于康为水处理器的1点解答对大家有用。
